RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
17.4
16.1
写入速度,GB/s
10.9
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2867
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link