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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
17.4
14.1
写入速度,GB/s
10.9
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2436
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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