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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
39
读取速度,GB/s
17.4
8.7
写入速度,GB/s
10.9
6.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1842
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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