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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
39
读取速度,GB/s
17.4
7.7
写入速度,GB/s
10.9
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1768
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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