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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
36
读取速度,GB/s
17.4
15.0
写入速度,GB/s
10.9
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2247
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Corsair CMP4GX3M2C1600C7 2GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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