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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
35
读取速度,GB/s
17.4
15.7
写入速度,GB/s
10.9
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2767
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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