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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
35
读取速度,GB/s
17.4
15.5
写入速度,GB/s
10.9
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2848
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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