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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
13.2
写入速度,GB/s
10.9
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1989
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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