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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
46
读取速度,GB/s
17.4
14.2
写入速度,GB/s
10.9
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2717
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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