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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
42
读取速度,GB/s
17.4
15.7
写入速度,GB/s
10.9
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2737
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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