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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
54
读取速度,GB/s
17.4
10.0
写入速度,GB/s
10.9
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2354
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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