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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
14.6
写入速度,GB/s
10.9
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2279
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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