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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
42
读取速度,GB/s
17.4
15.6
写入速度,GB/s
10.9
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2595
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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