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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Super Talent F3200UA8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F3200UA8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
58
读取速度,GB/s
17.4
18.9
写入速度,GB/s
10.9
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2250
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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