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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
25
读取速度,GB/s
17.4
20.2
写入速度,GB/s
10.9
18.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
4046
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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