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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
40
读取速度,GB/s
16.4
13.4
写入速度,GB/s
10.5
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2618
3014
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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