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G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
69
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
69
读取速度,GB/s
14.5
13.6
写入速度,GB/s
9.3
6.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2513
1598
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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