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G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比较
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
13.0
17.5
写入速度,GB/s
8.9
8.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2284
2196
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
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