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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
53
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
53
读取速度,GB/s
16.0
13.5
写入速度,GB/s
11.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2871
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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