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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
35
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
35
读取速度,GB/s
16.0
17.2
写入速度,GB/s
11.1
16.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3225
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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