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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
25
读取速度,GB/s
16.0
15.5
写入速度,GB/s
11.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
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