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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Kingston 9905743-044.A00G 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
39
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.7
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
39
读取速度,GB/s
16.0
15.3
写入速度,GB/s
11.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3329
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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