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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Kingston 9965589-043.E00G 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
16.0
10.1
写入速度,GB/s
11.1
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2265
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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