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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
16.0
16.0
写入速度,GB/s
11.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2901
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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