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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
32
读取速度,GB/s
16.0
14.3
写入速度,GB/s
11.1
10.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2464
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
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