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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
25
读取速度,GB/s
16.8
17.3
写入速度,GB/s
10.8
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3404
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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