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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
35
读取速度,GB/s
16.8
14.7
写入速度,GB/s
10.8
11.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2855
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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