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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
16.8
14.4
写入速度,GB/s
10.8
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2489
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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