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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
16.8
16.4
写入速度,GB/s
10.8
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2616
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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