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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
48
读取速度,GB/s
16.8
11.6
写入速度,GB/s
10.8
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2466
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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