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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

总分
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 31
    左右 -11% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 16.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 10.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    31 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    10.8 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2904 left arrow 3143

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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