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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
16.4
18.2
写入速度,GB/s
11.0
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2947
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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