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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
16.4
19.1
写入速度,GB/s
11.0
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
4052
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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