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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
53
读取速度,GB/s
16.4
13.5
写入速度,GB/s
11.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2871
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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