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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
16.4
16.8
写入速度,GB/s
11.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3046
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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