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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
16.4
16.7
写入速度,GB/s
11.0
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3598
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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