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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
16.4
18.2
写入速度,GB/s
11.0
16.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3731
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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