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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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规格
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
16.4
20.5
写入速度,GB/s
11.0
16.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3687
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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