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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
16.4
14.1
写入速度,GB/s
11.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2372
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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