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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
差异
规格
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
16.4
18.8
写入速度,GB/s
11.0
15.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3666
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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