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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
16.4
18.2
写入速度,GB/s
11.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3546
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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