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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
36
左右 -157% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
14
读取速度,GB/s
16.4
26.4
写入速度,GB/s
11.0
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
4362
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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