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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
94
左右 62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
5.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
4.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
94
读取速度,GB/s
16.4
5.6
写入速度,GB/s
11.0
4.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
1334
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 64T256800EU2.OC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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