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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
55
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
16.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
55
读取速度,GB/s
16.4
19.0
写入速度,GB/s
11.0
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2239
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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