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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
16.4
16.3
写入速度,GB/s
11.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2680
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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