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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
16.4
16.5
写入速度,GB/s
11.0
10.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2829
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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