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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
16.4
16.5
写入速度,GB/s
11.0
10.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2829
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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