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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
16.4
15.1
写入速度,GB/s
11.0
9.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2488
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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