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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
16.4
9.7
写入速度,GB/s
11.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
1767
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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