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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
27
读取速度,GB/s
16.8
20.0
写入速度,GB/s
11.3
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3815
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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