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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.8
19.7
写入速度,GB/s
11.3
15.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3614
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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